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MTP12P10
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
20
18
16
V GS = ?20 V
T J = 25 ° C
10 V
1.2
1.1
V DS = V GS
I D = 1 mA
14
12
10
8
6
8V
7V
6V
1
0.9
4
2
5V
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
?50
?25
0 25 50 75 100
125
150
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Gate?Threshold Voltage Variation
With Temperature
20
25 ° C
2
16
T J = ?55 ° C
100 ° C
1.6
V GS = 0
I D = 0.25 mA
12
8
1.2
0.8
4
V DS = 20 V
0.4
0
0
4
8
12
16
20
0
?50
?75
0
25
50
75
100
125
150
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Transfer Characteristics
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. Normalized Breakdown Voltage
versus Temperature
0.5
V GS = 15 V
T J = 100 ° C
1.8
0.4
1.6
1.4
V GS = 10 V
I D = 6 A
0.3
0.2
0.1
25 ° C
?55 ° C
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 5. On?Resistance versus Drain Current
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. On?Resistance Variation
With Temperature
http://onsemi.com
3
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